Vishay Intertechnology представил 10 новых диодов Шоттки из карбида кремния (SiC) на 650 В. Силовые диоды Vishay VS-Cxx 650V представляют собой SiC-диоды Шоттки с объединенной PIN структурой (merged PIN Schottky, MPS) и разработаны для обеспечения высоких характеристик.
В MPS-диодах карманы p+ формируют p-i-n-переход с материалом подложки. При работе в нормальном режиме p-i-n-переход не проводит ток, но при резком увеличении тока, которое происходит в переходных процессах, эти переходы начинают проводить ток, что обеспечивает резкое увеличение максимально допустимого тока. Благодаря этому MPS-диод имеет существенно большую перегрузочную способность по току, чем обычный диод Шоттки. Структура MPS диодов обеспечивает высокую устойчивость к переходным выбросам прямого тока.
Электрическое поле карманов p+ в MPS диодах направлено против электрического поля, порожденного обратным напряжением. За счет этого снижается электрическое поле в области барьера Шоттки. Это приводит к снижению токов утечки и повышению максимально выдерживаемого напряжения.
Эти диоды — оптимальный выбор для эффективных импульсных преобразователей с высокой скоростью переключения, работающих в режиме жесткой коммутации в широком диапазоне температур.
Диоды Шоттки VS-Cxx практически не имеют фазы восстановления и потерь на переключение, а также демонстрируют температурно-инвариантный режим переключения, что позволяет использовать диоды при высоких температурах.
Эти диоды доступны с разными номинальными токами. Типичные применения включают коррекцию коэффициента мощности (PFC) в AC/DC преобразователях и выпрямление выходного напряжения в FBPS и LLC DC/DC преобразователях, работающих на ультравысоких частотах.
Характеристики:
| Тип диода | IF(AV)
(A) |
IFSM при
25 °C, 10ms (A) |
VF (ТИП.) при IF и TJ | Ток утечки при 650V, 175 °C (μA) | Тип корпуса | ||
| VF (V) | IF (A) | TJ (°C) | |||||
| VS-C04ET07T-M3 | 4 | 26 | 1.75 | 4 | 150 | 2.5 | 2L TO-220AC |
| VS-C06ET07T-M3 | 6 | 39 | 1.7 | 6 | 150 | 4.4 | |
| VS-C08ET07T-M3 | 8 | 57 | 1.7 | 8 | 150 | 5 | |
| VS-C10ET07T-M3 | 10 | 68 | 1.75 | 10 | 150 | 5 | |
| VS-C12ET07T-M3 | 12 | 80 | 1.65 | 12 | 150 | 10 | |
| VS-C16ET07T-M3 | 16 | 120 | 1.65 | 16 | 150 | 10 | |
| VS-C20ET07T-M3 | 20 | 160 | 1.6 | 20 | 150 | 35 | |
| VS-C16CP07L-M3 | 2×8 | 53 | 1.7 | 8 | 150 | 5 | TO-247AD 3L |
| VS-C20CP07L-M3 | 2×10 | 64 | 1.75 | 10 | 150 | 10 | |
| VS-C40CP07L-M3 | 2×20 | 160 | 1.55 | 20 | 150 | 35 | |
- SiC диоды Шоттки с объединенной PIN структурой (MPS)
- Диоды с номинальными токами от 4А до 40А
- Простота параллельного включения диодов ввиду положительного температурного коэффициента VF
- Практически нет хвоста восстановления и потерь при переключении
- Максимальная рабочая температура перехода 175 °C
- Предлагаются в корпусах 2L TO-220AC и TO-247AD 3L
- Не содержат галогенов и соответствуют требованиям RoHS.
Применение:
- Корректоры коэффициента мощности в AC/DC преобразователях
- Выпрямление выходного напряжения в FBPS и LLC DC/DC преобразователях, работающих на ультравысоких частотах
- Телекоммуникационное оборудование
- Источники бесперебойного питания
- Инверторы для солнечных батарей
