Сайт oriontronix.ru использует файлы cookies и сервисы сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий. Кликните «Принять», чтобы согласиться с использованием «cookies» и больше не отображать это предупреждение.  Подробнее.

Принять
Добро пожаловать на ORIONTRONIX - официальное представительство TTI Inc. в России
+7 (812) 496-20-53 с 10 до 19 по будням
Поиск позиций

Микросхема IXYS IX4351NE драйвера затворов SiC MOSFET и IGBT

25.03.2021

IXYS 4351 NE 1Интегральные схемы драйверов IXYS IX4351NE предназначены для управления SiC MOSFET и IGBT транзисторами большой мощности. Микросхемы имеют раздельные 9-амперные выходы стока и истока, что позволяет настраивать время включения и выключения, минимизируя коммутационные потери.

IX4351NE имеет внутренний преобразователь напряжения с накачкой заряда (charge pump), который обеспечивает регулируемое отрицательное напряжение смещения затвора для улучшения устойчивости к dV/dt и уменьшения времени выключения.

Схема детектирования выхода из состояния насыщения обнаруживает состояние перегрузки по току управляемого SiC MOSFET и инициирует плавное отключение, предотвращая потенциальную опасность повреждения из-за высокой скорости изменения напряжения dV/dt. Логический вход IN совместим с TTL и CMOS и не требует смещения уровня даже при отрицательном напряжении смещения затвора.

Функции защиты обеспечиваются цепями защиты от пониженного напряжения и от перегрева кристалла. Выход «FAULT» с открытым стоком может быть подключен к микроконтроллеру для передачи сообщения об аварийном режиме.


Характеристики:

  • Отрицательное напряжение смещения на затворе для улучшения невосприимчивости к  dV/dt
  • Устраняет необходимость в отдельном источнике питания с отрицательным напряжением
  • Быстрое включение и выключение мощных SiC MOSFET и IGBT
  • Раздельные выводы истоков и стоков с пиковыми токами до 9 А
  • Диапазон рабочих напряжений от -10V до +25 V
  • Внутренний преобразователь напряжения с накачкой заряда для создания отрицательного напряжения смещения затвора
  • Обнаружение выхода из режима насыщения с мягким отключением драйвера
  • Вход совместим с TTL и CMOS
  • Блокировка при пониженном напряжении
  • Защита от перегрева
  • Выход FAULT с открытым стоком

Применение:

  • Драйверы SiC MOSFET и IGBT
  • Бортовые зарядные устройства и зарядные станции
  • Промышленные инверторы, выпрямители и системы управления электродвигателями
  • Корректоры коэффициента мощности, AC/DC и DC/DC преобразователи

pdficonТехнические характеристики IXYS IX4351NE

pdficonПрезентация IXYS IX4351NE

write-iconЗапросить более подробную информацию

Смотрите также