Сайт oriontronix.ru использует файлы cookies и сервисы сбора технических данных посетителей (данные об IP-адресе, местоположении и др.) для обеспечения работоспособности и улучшения качества обслуживания. Продолжая использовать наш сайт, вы автоматически соглашаетесь с использованием данных технологий. Кликните «Принять», чтобы согласиться с использованием «cookies» и больше не отображать это предупреждение.  Подробнее.

Принять
Добро пожаловать на ORIONTRONIX - официальное представительство TTI Inc. в России
+7 (812) 496-20-53 с 10 до 19 по будням
Поиск позиций

Toshiba выпустила 1200 В MOSFET транзистор из карбида кремния (SiC)

20.11.2020

Компания Toshiba Electronics Europe выпустила MOSFET транзистор из карбида кремния (SiC) на 1200 В для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники питания с входным напряжением  400VAC, инверторы для фотоэлектрических систем и двунаправленные DC/DC преобразователи для источников бесперебойного питания (UPS).

Новый мощный MOSFET транзистор TW070J120B основан на SiC — материале с широкой запрещенной зоной, который обеспечивает устойчивость к высокому напряжению, высокую скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии по сравнению с обычными MOSFET транзисторами и биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT) на основе кремния (Si). В результате применения нового MOSFET транзистора достигается снижение энергопотребления и повышение плотности мощности, что открывает возможности для уменьшения размеров системы.

SiC MOSFET транзистор TW070J120B на 1200 В построен на основе технологии кристаллов второго поколения Toshiba, обеспечивающей повышенную надежность.  Он имеет входную емкость (CISS) 1680 пФ (тип.), заряд затвора (Qg) 67 нКл (тип.) и сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS (ON)) 70 мОм (тип).

По сравнению с кремниевым IGBT на 1200 В, таким как Toshiba GT40QR21, новый транзистор снижает потери переключения при выключении примерно на 80% и время переключения (время спада) примерно на 70%, обеспечивая при этом низкое сопротивление открытого канала при токе стока (ID) до 20А.

Высокое пороговое напряжение затвора (Vth) — от 4,2 В до 5,8 В снижает вероятность непреднамеренного или ложного включения или выключения. Кроме того, встроенный SiC-диод с барьером Шоттки с низким прямым напряжением (VDSF) всего -1,35 В (тип.) также помогает снизить потери.

SiC MOSFET транзистор TW070J120B в корпусе TO-3P(N) позволяет разрабатывать силовые решения с более высокой эффективностью, особенно в промышленных приложениях, где повышенная плотность мощности также будет способствовать уменьшению размера и веса оборудования.


Характеристики:

  • Кристал 2-го поколения со встроенным SiC диодом Шотки
  • Корпус TO-3P(N)
  • Максимальное напряжение сток-исток 1200 В
  • Низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS(ON) = 70 мОм (тип.)
  • Высокое пороговое напряжение затвора (Vth) — от 4,2 В до 5,8 В для исключения ложных переключений
  • Транзистор с индуцированным каналом

Применение:

  • AC/DC источники питания с высоким входным напряжением
  • Инверторы для фотоэлектрических систем
  • DC/DC преобразователи для источников бесперебойного питания (UPS)
  • Станции зарядки электромобилей
  • Источники питания для телекоммуникационных систем
  • Промышленные источники питания
  • Приводы промышленных двигателей

pdficonТехнические характеристики транзистора TW070J120B

pdficonСравнение SiC MOSFET транзисторов с Si IGBT

write-iconЗапросить более подробную информацию

Смотрите также
  • Toshiba Corporation выпустила три новых мощных твердотельных реле — TLP3106A, TLP3107A, TLP3109A, в которых используются МОП-транзисторы с Trench структурой, изготовленные с применением технологического процесса U-MOS IX.

  • Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage представила высокоскоростной оптрон TLP2363 со скоростью передачи данных свыше 10 Мбит/с в стандартном корпусе.