Компания Toshiba Electronics Europe выпустила MOSFET транзистор из карбида кремния (SiC) на 1200 В для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники питания с входным напряжением 400VAC, инверторы для фотоэлектрических систем и двунаправленные DC/DC преобразователи для источников бесперебойного питания (UPS).
Новый мощный MOSFET транзистор TW070J120B основан на SiC — материале с широкой запрещенной зоной, который обеспечивает устойчивость к высокому напряжению, высокую скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии по сравнению с обычными MOSFET транзисторами и биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT) на основе кремния (Si). В результате применения нового MOSFET транзистора достигается снижение энергопотребления и повышение плотности мощности, что открывает возможности для уменьшения размеров системы.
SiC MOSFET транзистор TW070J120B на 1200 В построен на основе технологии кристаллов второго поколения Toshiba, обеспечивающей повышенную надежность. Он имеет входную емкость (CISS) 1680 пФ (тип.), заряд затвора (Qg) 67 нКл (тип.) и сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS (ON)) 70 мОм (тип).
По сравнению с кремниевым IGBT на 1200 В, таким как Toshiba GT40QR21, новый транзистор снижает потери переключения при выключении примерно на 80% и время переключения (время спада) примерно на 70%, обеспечивая при этом низкое сопротивление открытого канала при токе стока (ID) до 20А.
Высокое пороговое напряжение затвора (Vth) — от 4,2 В до 5,8 В снижает вероятность непреднамеренного или ложного включения или выключения. Кроме того, встроенный SiC-диод с барьером Шоттки с низким прямым напряжением (VDSF) всего -1,35 В (тип.) также помогает снизить потери.
SiC MOSFET транзистор TW070J120B в корпусе TO-3P(N) позволяет разрабатывать силовые решения с более высокой эффективностью, особенно в промышленных приложениях, где повышенная плотность мощности также будет способствовать уменьшению размера и веса оборудования.
Характеристики:
- Кристал 2-го поколения со встроенным SiC диодом Шотки
- Корпус TO-3P(N)
- Максимальное напряжение сток-исток 1200 В
- Низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS(ON) = 70 мОм (тип.)
- Высокое пороговое напряжение затвора (Vth) — от 4,2 В до 5,8 В для исключения ложных переключений
- Транзистор с индуцированным каналом
Применение:
- AC/DC источники питания с высоким входным напряжением
- Инверторы для фотоэлектрических систем
- DC/DC преобразователи для источников бесперебойного питания (UPS)
- Станции зарядки электромобилей
- Источники питания для телекоммуникационных систем
- Промышленные источники питания
- Приводы промышленных двигателей
Технические характеристики транзистора TW070J120B
